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2SK2094
Transistors
4V Drive Nch MOS FET
2SK2094
Structure
External dimensions (Unit : mm)
Silicon N-channel MOS FET
CPT3
6.5
5.1
2.3
0.5
Features
1) Low On-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Wide SOA (safe operating area).
4) 4V drive.
0.75
0.65
5) Drive circuits can be simple.
6) Parallel use is easy.
(1)Gate
(2)Drain
(3)Source
0.9 2.3
(1) (2) (3) 2.3
Abbreviated symbol : K2094
0.5
1.0
Applications
Switching
Packaging specifications
Package
Taping
Inner circuit
Type
Code
Basic ordering unit
(pieces)
TL
2500
2SK2094
(1) Gate
(1)
(2)
(3)
(2) Drain
(3) Source
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
60
±20
Unit
V
V
Drain current
Reverse drain
current
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ?
I DR
I DRP ?
2
8
2
8
A
A
A
A
Total power dissipation(Tc=25 ° C)
Channel temperature
Storage temperature
?
Pw ≤ 300 μ s, Duty cycle ≤ 2%
P D
Tch
Tstg
10
150
? 55 to + 150
W
° C
° C
Rev.A
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